Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Direct observation and temperature control of the surface Dirac gap in a topological crystalline insulator
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Materialfysik, MF.ORCID-id: 0000-0002-8216-5321
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Materialfysik, MF.ORCID-id: 0000-0002-7833-3943
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Materialfysik, MF. KTH, Centra, Nordic Institute for Theoretical Physics NORDITA.
Visa övriga samt affilieringar
2015 (Engelska)Ingår i: Nature Communications, ISSN 2041-1723, E-ISSN 2041-1723, Vol. 6, artikel-id 8463Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Resurstyp
Text
Abstract [en]

Since the advent of topological insulators hosting Dirac surface states, efforts have been made to gap these states in a controllable way. A new route to accomplish this was opened up by the discovery of topological crystalline insulators where the topological states are protected by crystal symmetries and thus prone to gap formation by structural changes of the lattice. Here we show a temperature-driven gap opening in Dirac surface states within the topological crystalline insulator phase in (Pb,Sn) Se. By using angle-resolved photoelectron spectroscopy, the gap formation and mass acquisition is studied as a function of composition and temperature. The resulting observations lead to the addition of a temperature-and composition-dependent boundary between massless and massive Dirac states in the topological phase diagram for (Pb,Sn) Se (001). Overall, our results experimentally establish the possibility to tune between massless and massive topological states on the surface of a topological system.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Nature Publishing Group, 2015. Vol. 6, artikel-id 8463
Nyckelord [en]
Phase-Transition, Pb1-Xsnxse, Semiconductors, System, SNTE
Nationell ämneskategori
Nanoteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-179283DOI: 10.1038/ncomms9463ISI: 000364925900002PubMedID: 26458506Scopus ID: 2-s2.0-84944104336OAI: oai:DiVA.org:kth-179283DiVA, id: diva2:882583
Forskningsfinansiär
Knut och Alice Wallenbergs StiftelseVetenskapsrådet
Anmärkning

QC 20151215

QC 20151216

Tillgänglig från: 2015-12-15 Skapad: 2015-12-14 Senast uppdaterad: 2017-12-01Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextPubMedScopus

Personposter BETA

Wojek, Bastian M.Hårdensson Berntsen, M.Tjernberg, Oscar

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Wojek, Bastian M.Hårdensson Berntsen, M.Jonsson, ViktorTjernberg, Oscar
Av organisationen
Materialfysik, MFNordic Institute for Theoretical Physics NORDITA
I samma tidskrift
Nature Communications
Nanoteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
pubmed
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
pubmed
urn-nbn
Totalt: 263 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf