Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Sensitivity of the crystal quality of SiGe layers grown at low temperatures by trisilane and germane
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.ORCID-id: 0000-0002-5845-3032
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: Thin Solid Films, ISSN 0040-6090, E-ISSN 1879-2731, Vol. 613, s. 38-42Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

This work investigates the crystal quality of SiGe layers grown at low temperatures using trisilane, and germane precursors. The crystal quality sensitivity was monitored for hydrogen chloride and/or minor oxygen amount during SiGe epitaxy or at the interface of SiGe/Si layers. The quality of the epi-layerswas examined by quantifying noise parameter, K-1/f obtained from the power spectral density vs. 1/f curves. The results indicate that while it is difficult to detect small defect densities in SiGe layers by physical material characterization, the noise measurement could reveal the effects of oxygen contamination as low as 0.16mPa inside and in the interface of the layers.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier, 2016. Vol. 613, s. 38-42
Nyckelord [en]
Reduced-pressure chemical vapor deposition, Low temperature epitaxy, Silicon germanium, Trisilane, Oxygen contamination, Noise measurement
Nationell ämneskategori
Materialteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-192390DOI: 10.1016/j.tsf.2015.10.001ISI: 000381031000008Scopus ID: 2-s2.0-84951831212OAI: oai:DiVA.org:kth-192390DiVA, id: diva2:969045
Konferens
E-MRS Symposium K on Transport and Photonics in Group IV based Nano-Devices, MAY, 2015, Lille, France
Anmärkning

QC 20160913

Tillgänglig från: 2016-09-13 Skapad: 2016-09-12 Senast uppdaterad: 2017-11-21Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Abedin, AhmadMoeen, MahdiCappetta, CarmineÖstling, MikaelRadamson, Henry H.
Av organisationen
Integrerade komponenter och kretsar
I samma tidskrift
Thin Solid Films
Materialteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 800 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf