Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Analysis of Parasitic Elements of SiC Power Modules With Special Emphasis on Reliability Issues
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.ORCID-id: 0000-0003-0570-9599
KTH, Skolan för elektro- och systemteknik (EES), Elektrisk energiomvandling.ORCID-id: 0000-0001-6184-6470
Visa övriga samt affilieringar
2016 (Engelska)Ingår i: IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, ISSN 2168-6777, E-ISSN 2168-6785, Vol. 4, nr 3, s. 988-995Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Commercially available silicon carbide (SiC) MOSFET power modules often have a design based on existing packages previously used for silicon insulated-gate bipolar transistors. However, these packages are not optimized to take advantage of the SiC benefits, such as high switching speeds and high-temperature operation. The package of a half-bridge SiC MOSFET module has been modeled and the parasitic elements have been extracted. The model is validated through experiments. An analysis of the impact of these parasitic elements on the gate-source voltage on the chip has been performed for both low switching speeds and high switching speeds. These results reveal potential reliability issues for the gate oxide if higher switching speeds are targeted.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2016. Vol. 4, nr 3, s. 988-995
Nyckelord [en]
Multichip modules, packaging, power MOSFETs, reliability, silicon carbide (SiC)
Nationell ämneskategori
Elektroteknik och elektronik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-192713DOI: 10.1109/JESTPE.2016.2585666ISI: 000381441600030Scopus ID: 2-s2.0-84982786778OAI: oai:DiVA.org:kth-192713DiVA, id: diva2:974479
Konferens
1st Annual IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), OCT 27-29, 2013, Ohio State Univ, Columbus, OH
Anmärkning

QC 20160926

Tillgänglig från: 2016-09-26 Skapad: 2016-09-20 Senast uppdaterad: 2017-05-29Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. On Reliability of SiC Power Devices in Power Electronics
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>On Reliability of SiC Power Devices in Power Electronics
2017 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

Silicon Carbide (SiC) is a wide-bandgap (WBG) semiconductor materialwhich has several advantages such as higher maximum electric field, lowerON-state resistance, higher switching speeds, and higher maximum allowablejunction operation temperature compared to Silicon (Si). In the 1.2 kV - 1.7kV voltage range, power devices in SiC are foreseen to replace Si Insulatedgatebipolar transistors (IGBTs) for applications targeting high efficiency,high operation temperatures and/or volume reductions. In particular, theSiC Metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) – which isvoltage controlled and normally-OFF – is the device of choice due to the easeof its implementation in designs using Si IGBTs.In this work the reliability of SiC devices, in particular that of the SiCMOSFET, has been investigated. First, the possibility of paralleling two discreteSiC MOSFETs is investigated and validated through static and dynamictests. Parallel-connection was found to be unproblematic. Secondly, drifts ofthe threshold voltage and forward voltage of the body diode of the SiC MOSFETare investigated through long-term tests. Also these reliability aspectswere found to be unproblematic. Thirdly, the impact of the package on thechip reliability is discussed through a modeling of the parasitic inductancesof a standard module and the impact of those inductances on the gate oxide.The model shows imbalances in stray inductances and parasitic elementsthat are problematic for high-speed switching. A long-term test on the impactof humidity on junction terminations of SiC MOSFETs dies and SiCSchottky dies encapsulated in the same standard package reveals early degradationfor some modules situated outdoors. Then, the short-circuit behaviorof three different types (bipolar junction transistor, junction field-effect transistor,and MOSFET) of 1.2 kV SiC switching devices is investigated throughexperiments and simulations. The necessity to turn OFF the device quicklyduring a fault is supported with a detailed electro-thermal analysis for eachdevice. Design guidelines towards a rugged and fast short-circuit protectionare derived. For each device, a short-circuit protection driver was designed,built and validated experimentally. The possibility of designing diode-lessconverters with SiC MOSFETs is investigated with focus on surge currenttests through the body diode. The discovered fault mechanism is the triggeringof the npn parasitic bipolar transistor. Finally, a life-cycle cost analysis(LCCA) has been performed revealing that the introduction of SiC MOSFETsin already existing IGBT designs is economically interesting. In fact,the initial investment is saved later on due to a higher efficiency. Moreover,the reliability is improved, which is beneficial from a risk-management pointof-view. The total investment over 20 years is approximately 30 % lower fora converter with SiC MOSFETs although the initial converter cost is 30 %higher.

Abstract [sv]

Kiselkarbid (SiC) är ett bredbandgapsmaterial (WBG) som har flera fördelar,såsom högre maximal elektrisk fältstyrka, lägre ON-state resitans, högreswitch-hastighet och högre maximalt tillåten arbetstemperatur jämförtmed kisel (Si). I spänningsområdet 1,2-1,7 kV förutses att effekthalvledarkomponenteri SiC kommer att ersätta Si Insulated-gate bipolar transistorer(IGBT:er) i tillämpningar där hög verkningsgrad, hög arbetstemperatur ellervolymreduktioner eftersträvas. Förstahandsvalet är en SiC Metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET) som är spänningsstyrd ochnormally-OFF, egenskaper som möjliggör enkel implementering i konstruktionersom använder Si IGBTer.I detta arbete undersöks tillförlitligheten av SiC komponenter, specielltSiC MOSFET:en. Först undersöks möjligheten att parallellkoppla tvådiskretaSiC MOSFET:ar genom statiska och dynamiska prov. Parallellkopplingbefanns vara oproblematisk. Sedan undersöks drift av tröskelspänning ochbody-diodens framspänning genom långtidsprov. Ocksådessa tillförlitlighetsaspekterbefanns vara oproblematiska. Därefter undersöks kapslingens inverkanpåchip:et genom modellering av parasitiska induktanser hos en standardmoduloch inverkan av dessa induktanser pågate-oxiden. Modellen påvisaren obalans mellan de parasitiska induktanserna, något som kan varaproblematiskt för snabb switchning. Ett långtidstest av inverkan från fuktpåkant-termineringar för SiC-MOSFET:ar och SiC-Schottky-dioder i sammastandardmodul avslöjar tidiga tecken pådegradering för vissa moduler somvarit utomhus. Därefter undersöks kortslutningsbeteende för tre typer (bipolärtransistor,junction-field-effect transistor och MOSFET) av 1.2 kV effekthalvledarswitchargenom experiment och simuleringar. Behovet att stänga avkomponenten snabbt stöds av detaljerade elektrotermiska simuleringar för allatre komponenter. Konstruktionsriktlinjer för ett robust och snabbt kortslutningsskyddtas fram. För var och en av komponenterna byggs en drivkrets medkortslutningsskydd som valideras experimentellt. Möjligheten att konstrueradiodlösa omvandlare med SiC MOSFET:ar undersöks med fokus påstötströmmargenom body-dioden. Den upptäckta felmekanismen är ett oönskat tillslagav den parasitiska npn-transistorn. Slutligen utförs en livscykelanalys(LCCA) som avslöjar att introduktionen av SiC MOSFET:ar i existerandeIGBT-konstruktioner är ekonomiskt intressant. Den initiala investeringensparas in senare pågrund av en högre verkningsgrad. Dessutom förbättrastillförlitligheten, vilket är fördelaktigt ur ett riskhanteringsperspektiv. Dentotala investeringen över 20 år är ungefär 30 % lägre för en omvandlare medSiC MOSFET:ar även om initialkostnaden är 30 % högre.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH Royal Institute of Technology, 2017. s. 215
Serie
TRITA-EE, ISSN 1653-5146 ; 2017:038
Nyckelord
Silicon Carbide, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET), Junction Field-Effect Transistor(JFET), Bipolar Junction Transistor (BJT), Reliability, Failure Analysis, Reliability Testing, Short- Circuit Currents, Humidity, Resonant converter, Series-resonant converter (SLR), Base drive circuits, Gate drive circuits, Life-Cycle Cost Analysis (LCCA), Kiselkarbid, MOSFETar, JFETar, Bipolär Junction Transistor (BJT), Tillförlitlighet, Robusthet, Felanalys, Tillförlitlighetstestning, Kortslutningsströmmar, Luftfuktighet, Resonansomvandlare, Serie-resonansomvandlare (SLR), Basdrivkretsar, Gate-drivkretsar, Felskydd, Livscykelkostnadsanalys
Nationell ämneskategori
Annan elektroteknik och elektronik
Forskningsämne
Elektro- och systemteknik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-207763 (URN)978-91-7729-445-0 (ISBN)
Disputation
2017-06-15, Kollegiesalen, Brinellvägen 8, KTH-huset, våningsplan 4, KTH Campus, Stockholm, 09:00 (Engelska)
Opponent
Handledare
Anmärkning

QC 20170524

Tillgänglig från: 2017-05-24 Skapad: 2017-05-23 Senast uppdaterad: 2017-05-24Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Sadik, Diane-PerleColmenares, JuanNee, Hans-Peter
Av organisationen
Elektrisk energiomvandling
I samma tidskrift
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
Elektroteknik och elektronik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 257 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf