kth.sePublications
Change search
CiteExportLink to record
Permanent link

Direct link
Cite
Citation style
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Other style
More styles
Language
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Other locale
More languages
Output format
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Performance of 2-18 GHz RF Switches Implemented in Chip & Wire Technology: Analysis of switch topologies, bias networks and an in-depth EM analysis of bondwires
KTH, School of Electrical Engineering and Computer Science (EECS).
2023 (English)Independent thesis Advanced level (degree of Master (Two Years)), 20 credits / 30 HE creditsStudent thesisAlternative title
Prestanda för 2-18 GHz RF Omkopplare Implementerade i Chip & Wire Teknologi : Analys av switchtopologier, biasnätverk och djupgående EM-analys av bondtrådar (Swedish)
Abstract [en]

The ability to control the path a signal takes through microwave circuitry is crucial when designing RF systems. The component that allows for the control of the signal path is called a switch, and it is the microwave component that this thesis will focus on. Switches are widely used in the growing defense and space industries, both of which have strict requirements on their systems. This thesis aims to investigate four switch topologies and compare them to establish which topology is most suitable in high-performance systems where high isolation and wide bandwidths are essential parameters. The different topologies were simulated using Cadence AWR Microwave Studio to evaluate the parameters of interest. Built-in models for PIN diodes were employed to capture the nonlinear nature of the diodes and quantify the linearity of the switches. Measurements of PIN diodes using a spectrum analyzer and a vector network analyzer were used to confirm that the models of the PIN diode resembled the actual characteristics of PIN diodes. Out of the four topologies investigated, the series, shunt, series-shunt and double shunt, it was concluded that the series-shunt topology was most suitable for wideband multiple-throw switches. The double shunt topology was more suitable for SPST switches and narrowband SPDT switches. From this thesis, it will be possible to conclude which topology is most suitable for a particular need and what key design parameters will impact the switch’s performance.

Abstract [sv]

Förmågan att styra vägen en signal tar genom mikrovågskretsar är en avgörande förmåga i konstruktionen av de flesta RF-system. Komponenten som tillåter styrning av signalvägen kallas en omkopplare och är den mikrovågskomponent som detta examensarbete kommer att fokusera på. RFomkopplare kan realiseras på många olika sätt och kan integreras i flera typer av vågledande strukturer såsom mikrostrips, striplines och vågledare. Omkopplingselementen kan realiseras på många sätt, med användning av transistorer och dioder är de mest etablerade sätten. Sådana omkopplare används i stor utsträckning inom försvars- och rymdindustrin som båda har strikta krav på dess komponenter. Avhandlingen syftar därför till att undersöka ett antal switchtopologier och jämföra dessa för att fastställa vilken topologi som är mest lämplig i högpresterande system där hög isolering och breda bandbredder är viktiga parametrar. De olika topologierna simulerades med hjälp av Cadence AWR Microwave Studio för att utvärdera parametrarna av intresse. Den inbyggda modellen för PIN-dioder användes också för att fånga diodernas olinjära natur för att kvantifiera omkopplarnas linjäritet. Mätningar av PIN-dioder med användning av en spektrumanalysator och en Nätverksanalysator gjordes för att bekräfta att modellerna av PIN-dioderna efterliknade PIN-diodernas faktiska beteende. Det fastslogs att series-shunt-topologin var mest lämpad för bredbandsomkopplare med flera utgångar. Dubbel-shunt-topologin var mer lämplig i SPSTomkopplare och i smalbandiga SPDT-omkopplare. Från detta examensarbete kommer det att vara möjligt att dra slutsatser kring vilken topologi som är mest lämplig för ett särskilt behov tillsammans med vilka designparametrar som kommer att påverka omkopplarens prestanda.

Place, publisher, year, edition, pages
2023. , p. 111
Series
TRITA-EECS-EX ; 2023:832
Keywords [en]
RF Switch, PIN diode, Chip & Wire Technology, Wide Bandwidth, High isolation, Single-Pole-Single-Throw, Single-Pole-Double-Throw RF Switch, PIN diode, Chip & Wire Technology, Wide Bandwidth, Single-Pole-SingleThrow, Single-Pole-Double-Throw
Keywords [sv]
RF-omkopplare, PIN-diod, Chip & Wire Tekonologi, Bredbandig, Hög isolation, Enkelpolig-enkakast, Enkelpolig-dubbelkast
National Category
Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering
Identifiers
URN: urn:nbn:se:kth:diva-343002OAI: oai:DiVA.org:kth-343002DiVA, id: diva2:1834176
External cooperation
Saab AB
Supervisors
Examiners
Available from: 2024-02-06 Created: 2024-02-02 Last updated: 2024-02-06Bibliographically approved

Open Access in DiVA

fulltext(24496 kB)641 downloads
File information
File name FULLTEXT01.pdfFile size 24496 kBChecksum SHA-512
a37364b8d4445cc9433f04d8fb7b064af1f15c66d261b528a8a4e3cf57964b1335d42c47af069196139459780af848fee154ef79f1c22b9b91c325ed8f0888fc
Type fulltextMimetype application/pdf

By organisation
School of Electrical Engineering and Computer Science (EECS)
Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Search outside of DiVA

GoogleGoogle Scholar
Total: 643 downloads
The number of downloads is the sum of all downloads of full texts. It may include eg previous versions that are now no longer available

urn-nbn

Altmetric score

urn-nbn
Total: 338 hits
CiteExportLink to record
Permanent link

Direct link
Cite
Citation style
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Other style
More styles
Language
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Other locale
More languages
Output format
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf