Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1 - 5 av 5
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Abedin, Ahmad
    et al.
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Zurauskaite, Laura
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Asadollahi, Ali
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Garidis, Konstantinos
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Jayakumar, Ganesh
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Malm, B. Gunnar
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Hellström, Per-Erik
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Östling, Mikael
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS).
    Germanium on Insulator Fabrication for Monolithic 3-D Integration2018Ingår i: IEEE Journal of the Electron Devices Society, ISSN 2168-6734, Vol. 6, nr 1, s. 588-593Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A low temperature (T-max = 350 degrees C) process for Germanium (Ge) on insulator (GOI) substrate fabrication with thicknesses of less than 25 nm is reported in this paper. The process is based on a single step epitaxial growth of a Ge/SiGe/Ge stack on Si, room temperature wafer bonding and an etch-back process using Si0.5Ge0.5 as an etch-stop layer. GOI substrates with surface roughness below 0.5 nm, 0.15% tensile strain, thickness nonuniformity of less than 3 nm and residual p-type doping of less than 1016 cm(-3) were fabricated. Ge pFETs are fabricated (T-max = 600 degrees C) on the GOI wafer with 70% yield. The devices exhibit a negative threshold voltage of -0.18 V and 60% higher mobility than the SOI pFET reference devices.

  • 2.
    Hou, Shuoben
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
    Hellström, Per-Erik
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
    Zetterling, Carl-Mikael
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik.
    Östling, Mikael
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).
    Scaling and modeling of high temperature 4H-SiC p-i-n photodiodes2018Ingår i: IEEE Journal of the Electron Devices Society, ISSN 2168-6734, Vol. 6, nr 1, s. 139-145, artikel-id 8240922Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    4H-SiC p-i-n photodiodes with various mesa areas (40,000μm2, 2500μm2, 1600μm2, and 400μm2) have been fabricated. Both C-V and I-V characteristics of the photodiodes have been measured at room temperature, 200 °C, 400 °C, and 500 °C. The capacitance and photo current (at 365 nm) of the photodiodes are directly proportional to the area. However, the dark current density increases as the device is scaled down due to the perimeter surface recombination effect. The photo to dark current ratio at the full depletion voltage of the intrinsic layer (-2.7 V) of the photodiode at 500 °C decreases 7 times as the size of the photodiode scales down 100 times. The static and dynamic behavior of the photodiodes are modeled with SPICE parameters at the four temperatures.

  • 3.
    Hou, Shuoben
    et al.
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Shakir, Muhammad
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system, Integrerade komponenter och kretsar.
    Hellström, Per-Erik
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Malm, B. Gunnar
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system, Integrerade komponenter och kretsar.
    Zetterling, Carl-Mikael
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system, Integrerade komponenter och kretsar.
    Östling, Mikael
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    A Silicon Carbide 256 Pixel UV Image Sensor Array Operating at 400 degrees C2020Ingår i: IEEE Journal of the Electron Devices Society, ISSN 2168-6734, Vol. 8, nr 1, s. 116-121Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    An image sensor based on wide band gap silicon carbide (SiC) has the merits of high temperature operation and ultraviolet (UV) detection. To realize a SiC-based image sensor the challenge of opto-electronic on-chip integration of SiC photodetectors and digital electronic circuits must be addressed. Here, we demonstrate a novel SiC image sensor based on our in-house bipolar technology. The sensing part has 256 ( $16\times 16$ ) pixels. The digital circuit part for row and column selection contains two 4-to-16 decoders and one 8-bit counter. The digital circuits are designed in transistor-transistor logic (TTL). The entire circuit has 1959 transistors. It is the first demonstration of SiC opto-electronic on-chip integration. The function of the image sensor up to 400 degrees C has been verified by taking photos of the spatial patterns masked from UV light. The image sensor would play a significant role in UV photography, which has important applications in astronomy, clinics, combustion detection and art.

  • 4.
    Hussain, Muhammad Waqar
    et al.
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik.
    Elahipanah, Hossein
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar. Ascatron AB.
    Zumbro, John E.
    University of Arkansas.
    Rodriguez, Saul
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
    Malm, B. Gunnar
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
    Mantooth, H. Alan
    University of Arkansas.
    Rusu, Ana
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
    A SiC BJT-Based Negative Resistance Oscillator for High-Temperature Applications2019Ingår i: IEEE Journal of the Electron Devices Society, ISSN 2168-6734, Vol. 7, nr 1, s. 191-195Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This brief presents a 59.5 MHz negative resistanceoscillator for high-temperature operation. The oscillator employs an in-house 4H-SiC BJT, integrated with the requiredcircuit passives on a low-temperature co-fired ceramic substrate. Measurements show that the oscillator operates from room-temperature up to 400 C. The oscillator delivers an output◦power of 11.2 dBm into a 50 Ω load at 25 C, which decreases to 8.4 dBm at 400 C. The oscillation frequency varies by 3.3% in the entire temperature range. The oscillator is biased witha collector current of 35 mA from a 12 V supply and has amaximum DC power consumption of 431 mW.

    Ladda ner fulltext (pdf)
    fulltext
  • 5. Nathan, A.
    et al.
    Pavan, P.
    Zetterling, Carl-Mikael
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Elektronik, Integrerade komponenter och kretsar.
    Editorial EIC2017Ingår i: IEEE Journal of the Electron Devices Society, ISSN 2168-6734, Vol. 5, nr 3, s. 147-148, artikel-id 7911398Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
1 - 5 av 5
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf