Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1 - 6 av 6
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Hamawandi, Bejan
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Noroozi, Mohammad
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Jayakumar, Ganesh
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Ergül, Adem
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Zahmatkesh, Katayoun
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Toprak, Muhammet S.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Radamson, Henry H.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Electrical properties of sub-100 nm SiGe nanowires2016Ingår i: Journal of semiconductors, Vol. 37, nr 10Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study, the electrical properties of SiGe nanowires in terms of process and fabrication integrity, measurement reliability, width scaling, and doping levels were investigated. Nanowires were fabricated on SiGe-on oxide (SGOI) wafers with thickness of 52 nm and Ge content of 47%. The first group of SiGe wires was initially formed by using conventional I-line lithography and then their size was longitudinally reduced by cutting with a focused ion beam (FIB) to any desired nanometer range down to 60 nm. The other nanowires group was manufactured directly to a chosen nanometer level by using sidewall transfer lithography (STL). It has been shown that the FIB fabrication process allows manipulation of the line width and doping level of nanowires using Ga atoms. The resistance of wires thinned by FIB was 10 times lower than STL wires which shows the possible dependency of electrical behavior on fabrication method.

  • 2.
    Jamshidi, Asghar
    et al.
    KTH.
    Noroozi, Mohammad
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Moeen, M.
    Hallén, Anders
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Hamawandi, Bejan
    KTH.
    Lu, J.
    Hultman, L.
    Östling, Mikael
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Radamson, Henry
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Growth of GeSnSiC layers for photonic applications2013Ingår i: Surface & Coatings Technology, ISSN 0257-8972, E-ISSN 1879-3347, Vol. 230, s. 106-110Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This work presents epitaxial growth of intrinsic and doped GeSnSiC layers using Ge2H6, SnCl4, CH3SiH3, B2H6, PH3 and Si2H6 deposited at 290-380 degrees C on strain relaxed Ge buffer layer or Si substrate by using reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) technique. The GeSnSi layers were compressively strained on Ge buffer layer and strain relaxed on Si substrate. It was demonstrated that the quality of epitaxial layers is dependent on the growth parameters and that the Sn content in epi-layers could be tailored by growth temperature. The Sn segregation caused surface roughness which was decreased by introducing Si and Si-C into Ge layer. The Sn content in GeSn was carefully determined from the mismatch, both parallel and perpendicular, to the growth direction when the Poisson ratio was calculated for a certain Ge-Sn composition. The X-ray results were excellently consistent with Rutherford Backscattered Spectroscopy (RBS). Strain relaxed GeSn layers were also used as virtual substrate to grow tensile-strained Ge layers. The Ge cap layer had low defect density and smooth surface which makes it a viable candidate material for future photonic applications.

  • 3.
    Mohamed, A.
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik. Cairo University, Egypt; Akhbar El Yom Academy, Egypt.
    Yousef, S.
    Ali Abdelnaby, M.
    Osman, T. A.
    Hamawandi, Bejan
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik.
    Toprak, Muhammet S.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik.
    Muhammed, Mamoun
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik. Alexandria University, Egypt.
    Uheida, Abdusalam
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik.
    Photocatalytic degradation of organic dyes and enhanced mechanical properties of PAN/CNTs composite nanofibers2017Ingår i: Separation and Purification Technology, ISSN 1383-5866, E-ISSN 1873-3794, Vol. 182, s. 219-223Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This work describes the enhanced mechanical properties of the composite nanofibers and the photodegradation of two organic dyes using PAN/CNTs under UV irradiation at different volume concentration (0.05, 0.1, 0.2, and 0.3 wt.%). The composite nanofibers was performed with polyacrylonitrile (PAN), and carbon nanotubes (CNTs) by electrospinning process. The composite nanofibers structure and morphology is characterized by XRD, FTIR, SEM, and TEM. The result indicates that with increasing CNTs content, the mechanical properties of the composite nanofibers was enhanced, and became more elastic, and the elastic modulus increased drastically. The results of mechanical properties exhibit improvements in tensile strengths, and elastic modulus by 38% and 84% respectively, at only 0.05 wt.% CNTs. Moreover, photocatalytic degradation performance in short time and low power intensity was achieved comparison to earlier reports.

  • 4.
    Noroozi, Mohammad
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Hamawandi, Bejan
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Jayakumar, Ganesh
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Zahmatkesh, Katayoun
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Radamson, Henry H.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Toprak, Muhammet S.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    A comparison of power factor in n and p-type SiGe nanowires for thermoelectric applications2017Ingår i: Journal of Nanoscience and Nanotechnology, ISSN 1533-4880, E-ISSN 1533-4899, Vol. 71, nr 3, s. 1622-1626Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    This work presents the thermoelectric properties of n- and p-type doped SiGe nanowires and shows the potential to generate electricity from heat difference over nanowires. The Si0.74Ge0.26 layers were grown by reduced pressure chemical vapor deposition technique on silicon on insulator and were condensed to the final Si0.53Ge0.47 layer with thickness of 52 nm. The nanowires were formed by using sidewall transfer lithography (STL) technique at a targeted width of 60 nm. A high volume of NWs is produced per wafer in a time efficient manner and with high quality using this technique. The results demonstrate high Seebeck coefficient in both n- and p-types SiGe nanowires. N-type SiGe nanowires show significantly higher Seebeck coefficient and power factor compared to p-type SiGe nanowires near room temperature. These results are promising and the devised STL technique may pave the way to apply a Si compatible process for manufacturing SiGe-based TE modules for industrial applications.

  • 5.
    Noroozi, Mohammad
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Hamawandi, Bejan
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik.
    Toprak, Muhammet S.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Radamson, Henry H.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Fabrication and thermoelectric characterization of GeSn nanowires2014Ingår i: 2014 15th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2014, IEEE Computer Society, 2014, s. 125-128Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    In this study, GeSn nanowires (NWs) were fabricated and the thermoelectric performance in terms of power factor and contact resistance have been investigated and compared to Ge and Si. The ohmic contact to the NWs was made by Pt/Ti whereas low contact resistance was obtained by Ni-GeSn (or Ni-Ge) layers. A detailed investigation was performed to process towards low resistance Ni-GeSn phase for GeSn NWs. The phase formation of Ni-GeSn layers was examined by x-ray diffraction (XRD) and the residual strain in GeSn beneath the Ni-GeSn was also measured by high resolution reciprocal lattice mapping (HRRLM). It was demonstrated that Ni reaction with GeSn layer resulted in strain reduction in the remained GeSn material due to Ni outdiffusion to the GeSn NWs demonstrated higher Seebeck coefficient compared to Ge and Si NWs, which suggest promising thermoelectric properties in GeSn.

  • 6.
    Noroozi, Mohammad
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Jayakumar, Ganesh
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Lu, Jun
    Mensi, Mounir
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Optik och Fotonik, OFO.
    Hamawandi, Bejan
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Zahmatkesh, Katayoun
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Tafti, Mohsen. Y
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Marcinkevičius, Saulius
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Optik och Fotonik, OFO.
    Hultman, Lars
    Ergül, Adem
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Ikonic, Zoran
    Toprak, Muhammet S.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Funktionella material, FNM.
    Radamson, Henry H.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Significant Improvement of Thermoelectric Efficiency in SiGe NanowiresArtikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The thermoelectric (TE) properties of SiGe nanowires (NWs) with width of 60 nm in a back-gate configuration have been studied experimentally and theoretically. The carrier transport in NWs was modified by biasing voltage to the gate for different temperatures. The original wafers were SiGe-on-oxide (SGOI), which were formed through condensation of SiGe on Si-on-oxide wafers (SOI).  The power factor of SiGe NWs was enhanced by a factor of >2 in comparison with SiGe bulk material over a temperature range of 273 K to 450 K. This enhancement is mainly attributed to the energy filtering of carriers in SiGe NWs which were introduced by the roughness in the shape of NWs, non-uniform SiGe composition and the induced defects during the manufacturing of SGOI wafers or processing of NWs. These defects create potential barriers which may significantly enhance the Seebeck coefficient, while the conductivity can be boosted by tuning the back-gate bias.

1 - 6 av 6
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf