kth.sePublikationer
Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1 - 5 av 5
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Asplund, Carl
    et al.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Sundgren, Petrus
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Mogg, Sebastian
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Hammar, Mattias
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Christiansson, Ulf
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Oscarsson, V.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Runnström, C.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Odling, E.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Malmquist, J.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    1260 nm InGaAs vertical-cavity lasers2002Ingår i: Electronics Letters, ISSN 0013-5194, E-ISSN 1350-911X, Vol. 38, nr 13, s. 635-636Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

     The fabrication and performance of highly strained double-quantum well InGaAs/GaAs vertical-cavity lasers with record-long emission wavelength of 1260 nm at room temperature is reported. Depending on device diameter, the minimum threshold current is in the low mA-regime while the maximum output power exceeds 1 mW. The devices work continuous-wave over a wide temperature range of at least 10-120degrees C.

  • 2.
    Chacinski, Marek
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Schatz, Richard
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik.
    Kjebon, Olle
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Marcks von Würtemberg, Rickard
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Mogg, Sebastian
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
    Sundgren, Petrus
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
    Single-mode 1.27 μm InGaAs vertical cavity surface-emitting lasers with temperature-tolerant modulation characteristics2005Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 86, nr 21, s. 211109-1-211109-3Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The dynamic performance of InGaAs/GaAs 1.27 μ m single-mode vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) is presented. In order to reach such a long wavelength, the devices utilize highly strained double-quantum wells and a large detuning between the material gain peak and cavity resonance. It is found that the large detuning improves the temperature stability of both static and modulation characteristics. A resonance frequency of 7.8-9.5 GHz and optical power of 0.30 mW in fiber was maintained throughout the investigated temperature range of 20-90 ° C. The intrinsic response of the device suggests that long-wavelength InGaAs/GaAs VCSELs have the potential to be used as low cost uncooled optical transmitters at 10 Gbit/s. © 2005 American Institute of Physics. © 2005 American Institute of Physics.

  • 3.
    Mogg, Sebastian
    et al.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Chitica, Nicolae
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Christiansson, Ulf
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Schatz, Richard
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Asplund, Carl
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Hammar, Mattias
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Sundgren, Petrus
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Temperature sensitivity of the threshold current of long-wavelength InGaAs/GaAs VCSELs with large gain-cavity detuning2004Ingår i: IEEE Journal of Quantum Electronics, ISSN 0018-9197, E-ISSN 1558-1713, Vol. 40, nr 5, s. 453-462Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Record-long emission wavelengths up to 1.3 mhaverecently been demonstrated from highly strained InGaAs–GaAsdouble-quantum-well (DQW) vertical-cavity surface-emittinglasers (VCSELs). The operation of InGaAs VCSELs at suchlong wavelengths has relied on a large detuning between thespectral positions of QW gain maximum and cavity resonance.This detuning also affects the high-temperature performance andtemperature sensitivity of such devices. In this paper, we presentand evaluate the threshold current–temperature characteristicof such lasers in relation to the gain-cavity detuning at roomtemperature (RT). For a near-zero gain peak offset from theemission wavelength at RT, the minimum threshold current isfound at the temperature where the gain peak wavelength and thecavity resonance are approximately aligned. This is well in linewith a common design rule for GaAs-based VCSELs. However,we show that this design rule fails in the case of larger gain-cavitymisalignment at RT. Instead, a minimum threshold current is obtainedconsiderably below the temperature of zero gain offset. Wepropose a conceptual model that relates the gain-cavity detuning atRT to the temperature sensitivity of the active region performance,which qualitatively describes the threshold current–temperaturecharacteristic typical of VCSELs. The results demonstrate theimportance of improving the temperature characteristic of theactive region in order to reduce the high temperature sensitivityof devices with large detuning.

  • 4.
    Salomonsson, Fredrik
    et al.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Asplund, Carl
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Sundgren, Petrus
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Plaine, Glenn Yves
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Mogg, Sebastian
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Hammar, Mattias
    Low-threshold, high-temperature operation of 1.2 mu m InGaAs vertical cavity lasers2001Ingår i: Electronics Letters, ISSN 0013-5194, E-ISSN 1350-911X, Vol. 37, nr 15, s. 957-958Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The growth and characterisation of high performance InGaAs/GaAs quantum-well vertical cavity lasers with an emission wavelength of 1215 nm is reported. Continuous wave operation is demonstrated up to 105°C with a threshold current below 1 mA for T < 80°C. For a 2.5 μm device the room temperature threshold current, output power and slope efficiency is 0.6 mA, 0.6 mW and 0.2 W/A, respectively.

  • 5.
    Sundgren, Petrus
    et al.
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Asplund, Carl
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Hammar, Mattias
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Mogg, Sebastian
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Plaine, Glenn-Yves
    KTH, Tidigare Institutioner (före 2005), Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Low-temperature growth of GaInNAs/GaAs quantum wells for 1.3-μm lasers using metal-organic vapor-phase epitaxy2001Ingår i: Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM. IEEE International Conference On, 2001, s. 563-566Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    GaInNAs/GaAs quantum-well (QW) lasers emitting at 1.3 μm were grown using metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) in the limit of very low growth rate and temperature. The material was characterized by photoluminescence (PL) spectroscopy as well as by implementation in broad-area (BA) edge-emitting lasers. While the PL intensity was found to decrease by more than two orders of magnitude between 1175 and 1350 nm, the corresponding BA laser threshold current showed a much more modest increase. For a 1.28-μm laser the transparency current was 0.8 kA/cm2, the slope efficiency 0.24 W/A per facet and T0=100 K. Comparison between PL emission properties and BA laser performance revealed a complex relationship. A high PL intensity does not necessarily lead to low threshold-current lasers. In these cases, the FWHM seems to be the more relevant parameter for QW optimization

1 - 5 av 5
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf