Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
1234 151 - 151 av 151
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 151. Zhang, J.
    et al.
    Ellison, A.
    Henry, A.
    Linnarsson, Margareta K.
    KTH, Tidigare Institutioner                               , Mikroelektronik och informationsteknik, IMIT.
    Janzen, E.
    Nitrogen incorporation during 4H-SiC epitaxy in a chimney CVD reactor2001Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 226, nr 03-feb, s. 267-276Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Nitrogen incorporation is studied during epitaxial chemical vapour deposition (CVD) of 4H-SiC in a vertical, hot-wall CVD reactor. The nitrogen doping dependencies on input C/Si ratio, growth temperature and process pressure are investigated under the process conditions leading to growth rates in the range of 15-30 mum/h. The nitrogen incorporation is observed to be a thermally activated process with a higher apparent activation energy for the Si-face than for the C-face. The site-competition principle is well followed at C/Si ratios higher than 0.3, whereas the nitrogen doping becomes less sensitive to the C/Si ratio on both the Si- and the C-faces at C/Si ratios below 0.3. The pressure has a strong effect on the nitrogen incorporation efficiency, allowing lower doping at the lower pressure. The influence of the growth parameters on the nitrogen incorporation is closely related both to the epitaxial growth mechanisms and to the surface kinetics on the different polarity SiC faces. The doping mechanisms are analysed taking into account the gas-phase chemistry and the surface kinetics.

1234 151 - 151 av 151
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf