Ändra sökning
Avgränsa sökresultatet
12 51 - 59 av 59
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Träffar per sida
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
  • Standard (Relevans)
  • Författare A-Ö
  • Författare Ö-A
  • Titel A-Ö
  • Titel Ö-A
  • Publikationstyp A-Ö
  • Publikationstyp Ö-A
  • Äldst först
  • Nyast först
  • Skapad (Äldst först)
  • Skapad (Nyast först)
  • Senast uppdaterad (Äldst först)
  • Senast uppdaterad (Nyast först)
  • Disputationsdatum (tidigaste först)
  • Disputationsdatum (senaste först)
Markera
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 51. Yang, W.
    et al.
    Zhou, W.
    Zhenqiang, M.
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Flexible solar cells based on stacked crystalline semiconductor nanomembranes on plastic substrates2010Ingår i: Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference: 2010 Laser Science to Photonic Applications, CLEO/QELS 2010, 2010, s. 5501105-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report here experimental demonstration of flexible solar cells based on crystalline semiconductor nanomembranes (NMs) transferred onto flexible PET (polyethylene terephthalate) substrates. For 1 micrometer thick p-i-n InP NMs, we obtained an open circuit voltage of 0.68 V and power efficiency of 1.5% from the photovoltaic solar cells. The results agree very well with the anticipated thin film InP solar cell performance considering the low absorption in very thin InP NMs. The efficiency remains unchanged for bending radii greater than 42 mm. It drops to 50% of its original value at a bending radius of 32 mm. The results demonstrate a promising future for such, a new type of cost effective flexible thin film solar cells, based on crystalline semiconductor membranes.

  • 52. Yang, Weiquan
    et al.
    Yang, Hongjun
    Qin, Guoxuan
    Ma, Zhenqiang
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Soref, Richard
    Zhou, Weidong
    Large-area InP-based crystalline nanomembrane flexible photodetectors2010Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 96, nr 12, s. 121107-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    Large-area (3x3 mm(2)) flexible photodetectors were realized, based on crystalline InP semiconductor nanomembranes transferred to flexible polyethylene terephthalate substrates. Very low dark current (a few microamperes) and high responsivity (0.12 A/W) were demonstrated for flexible InP p-i-n photodetectors. Bending characteristics were also investigated for this type of flexible crystalline semiconductor photodetector, and it was found that, whereas the dark current was independent of bending radii, the photocurrent degraded, depending on the bending radii.

  • 53.
    Yu, Xingang
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Chung, Il-Sug
    Mork, Jesper
    Xiang, Yu
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och Informationsteknik, IMIT.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Single-mode InGaAs/GaAs 1.3-mu m VCSELs Based on a Shallow Intracavity Patterning2010Ingår i: SEMICONDUCTOR LASERS AND LASER DYNAMICS IV / [ed] Panajotov, K; Sciamanna, M; Valle, AA; Michalzik, R, 2010, Vol. 7720, s. 772021-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    A high-power single-mode 1.3-mu m InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure employing a novel concept of engineering the optical mode profile to match the gain profile is suggested and demonstrated experimentally and theoretically. In contrast to various singlemode VCSEL approaches reported in the literature so far, based on selective loss or anti-resonant effects to suppress higher order modes, it is due to a novel design to increase the active region size while maintaining single mode emission. The shape of the fundamental mode profile is engineered to be similar to the gain profile which resembles a doughnut shape especially in intra-cavity contacted devices. In this way, the fundamental mode with the best fit to the gain profile can reach the lasing condition earliest and consume all the optical gain, leading to a suppression of higher order modes. Notably, despite this engineered shape of the mode profile, the far field shape remains close to Gaussian. The mode shaping can be achieved by introducing a shallow intracavity patterning before depositing the top mirror. Fabricated device structures consist of a A-Si/SiN/SiO(2) top mirror, modulation-doped current spreading layers, re-grown current confinement layers, three InGaAs/GaAs quantum wells, and a GaAs/AlGaAs bottom mirror. Single mode operation is demonstrated even for devices with active region as large as 10 mu m.

  • 54.
    Yu, Xingang
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Xiang, Yu
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Zabel, Thomas
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Akram, Muhammad Nadeem
    Vestfold University Collage, Tönsberg, Norge.
    Shi, Wei
    University of British Columbia, Vancouver, Canada.
    Chrostowski, Lukas
    University of British Columbia, Vancouver, Canade.
    Room-temperature operation of transistor vertical-cavity surface-emitting laser2013Ingår i: Electronics Letters, ISSN 0013-5194, E-ISSN 1350-911X, Vol. 49, nr 3, s. 208-209Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    The first room-temperature operation of a transistor vertical-cavity surface-emitting laser (T-VCSEL) is demonstrated. Fabricated using an epitaxial regrowth process, the T-VCSEL is electrically a pnp-type bipolar junction transistor and consists of an undoped AlGaAs/GaAs bottom DBR, an InGaAs triple-quantum-well active layer, an Si/SiO2 dielectric top DBR, and an intracavity contacting scheme with three electrical terminals. The output power is controlled by the base current in combination with the emitter-collector voltage, showing a voltage-controlled operation mode. A low threshold base-current of 0.8 mA and an output power of 1.8 mW have been obtained at room temperature. Continuous-wave operation was performed up to 50 degrees C.

  • 55.
    Yu, Xingang
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Xiang, Yu
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Zabel, Thomas
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    1.3 μm Buried Tunnel junction InGaAs/GaAs VCSELs2013Konferensbidrag (Övrigt vetenskapligt)
    Abstract [en]

    Vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) working at 1.3μm are potential cost- and power-efficient sources for medium-range optical networks. However, they are still waiting for their commercial breakthrough due to several technological challenges related to the need for complex materials systems and/or fabrication methods. Nevertheless, many efforts have been devoted to solve the problem, also yielding some excellent results. Alter-native approaches we have previously presented are In-GaAs/GaAs 1.3-μm VCSELs based on oxidation con-finement or with an epitaxial regrowth of a pnp block-ing structure. Here we demonstrate a buried-tunnel junction (BTJ) current confinement scheme to improve the static and dynamic performance.

  • 56.
    Zabel, Thomas
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Reuterskiöld Hedlund, Carl
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Gustafsson, O.
    Karim, A.
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Wang, Q.
    Ernerheim Jokumsen, Christopher
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT).
    Soldemo, Markus
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Materialfysik, MF.
    Weissenrieder, Jonas
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Materialfysik, MF.
    Gotelid, Mats
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Material- och nanofysik, Materialfysik, MF.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Auger recombination in In(Ga)Sb/InAs quantum dots2015Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 106, nr 1, s. 013103-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on the epitaxial formation of type II In0.5Ga0.5Sb/InAs and InSb/InAs quantum dot ensembles using metal organic vapor phase epitaxy. Employing scanning tunneling spectroscopy, we determine spatial quantum dot dimensions smaller than the de Broglie wavelength of InGaSb, which strongly indicates a three dimensional hole confinement. Photoluminescence spectroscopy at low temperatures yields an enhanced radiative recombination in the mid-infrared regime at energies of 170-200 meV. This luminescence displays a strong excitation power dependence with a blueshift indicating a filling of excited quantum dot hole states. Furthermore, a rate equation model is used to extract the Auger recombination coefficient from the power dependent intensity at 77 K yielding values of 1.35 x 10(-28) cm(6)/s for In0.5Ga0.5Sb/InAs quantum dots and 1.47 x 10(-27) cm(6)/s for InSb/InAs quantum dots, which is about one order of magnitude lower as previously obtained values for InGaSb superlattices.

  • 57.
    Zhang, Andy Zhenzhong
    et al.
    Acreo, Sweden .
    Wang, Qin
    Karlsson, Stefan
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik (Stängd 20120101), Fotonik (Stängd 20120101). Kista Photonics Resarch Center, Sweden.
    Kjebon, Olle
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik (Stängd 20120101), Fotonik (Stängd 20120101). Kista Photonics Resarch Center, Sweden.
    Schatz, Richard
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik (Stängd 20120101), Fotonik (Stängd 20120101). Kista Photonics Resarch Center, Sweden.
    Fonjallaz, Pierre-Yves
    Almqvist, Susanne
    Chacinski, Marek
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Materialfysik (Stängd 20120101).
    Thylen, Lars
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik (Stängd 20120101), Fotonik (Stängd 20120101). Kista Photonics Resarch Center, Sweden.
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Honecker, Joerg
    Steffan, Andreas
    Fabrication of an electro-absorption transceiver with a monolithically integrated optical amplifier for fiber transmission of 40-60 GHz radio signals2011Ingår i: Semiconductor Science and Technology, ISSN 0268-1242, E-ISSN 1361-6641, Vol. 26, nr 1, s. 014042-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report on the fabrication of a monolithically integrated semiconductor optical amplifier (SOA) and a reflective electro-absorption transceiver (EAT) for 40-60 GHz radio-over-fiber applications. The EAT can either function as a transmitter (reflective modulator) or as a receiver (photodetector) depending on operation mode. The SOA and the EAT sections are based on different InGaAsP multiple quantum-well active layers connected by a butt joint. Benzocyclobutene is used to reduce the capacitance beside the ridge mesa. Devices are designed to have a peaked response at the operating frequency through the design of microwave waveguides on top of the devices. The packaged device exhibits at 0.1 mW optical input power an amplified DC responsivity of 18.5 mA mW(-1) and a modulation efficiency of 0.67 mW V-1. The estimated radio frequency loss at 40 GHz of an optical link consisting of two SOA-EAT devices was 23 dB using an unmodulated optical input carrier to the transmitter of 0.94 mW.

  • 58.
    Zhang, Zhenzhong
    et al.
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Marcks von Würtemberg, Rickard
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Mikroelektronik och tillämpad fysik, MAP.
    Optical loss and interface morphology in AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors2007Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 91, nr 10, s. 101101-Artikel i tidskrift (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    It is shown that n-type doping of AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors (DBRs) grown by metal-organic vapor-phase epitaxy has a profound negative impact on the performance of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) based on such mirrors. Using an intracavity contact scheme, 1.3-mu m-range InGaAs VCSELs with and without doping in the bottom DBR are directly compared. Doped mirrors lead to lower slope efficiency, lower output power, and higher threshold current. From x-ray diffraction, high-accuracy reflectance measurements, and atomic force microscopy studies, it is suggested that this performance degradation is due to the doping-enhanced Al-Ga interdiffusion, leading to interface roughening and increased scattering loss.

  • 59. Zhao, D.
    et al.
    Chuwongin, S.
    Yang, H.
    Seo, J. -H
    Berggren, Jesper
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Integrerade komponenter och kretsar.
    Ma, Z.
    Zhou, W.
    Transfer printed photonic crystal nanomembrane lasers on silicon with low optical pumping threshold2012Ingår i: Group IV Photonics (GFP), 2012 IEEE 9th International Conference on, IEEE , 2012, s. 632418-Konferensbidrag (Refereegranskat)
    Abstract [en]

    We report here an ultra-compact membrane lasers on silicon with very low pumping threshold. The laser consists of InGaAsP QW active region sandwiched in between two single-layer Fano resonance silicon photonic crystal nanomembrane reflectors, based on transfer printing technique.

12 51 - 59 av 59
RefereraExporteraLänk till träfflistan
Permanent länk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf