Att upprätthålla optimal ytresistans i tunna deponerade filmer är avgörande för att säkerställa kvalitet och effektivitet inom MEMS-produktion (Microelectromechanical Systems). Därför är ytresistansen hos förångad titan, ett material som används som getter för att kontrollera trycket i MEMS-enheter, en viktig parameter.

Denna studie syftar till att identifiera de faktorer som påverkar variationer i titans ytresistans genom att analysera data och genomföra tester, för att bedöma om kontrollen av dessa faktorer kan förbättra produktionsstabilitet.

Resultatet av studien visar att kammarens pumptid, tillsammans med nya identifierade faktorer såsom deponeringstid och venttid, har en betydande påverkan på ytresistansen. Dessa faktorer är dock inte rotorsaken till variationen i ytresistans, men de kan tillämpas som indikatorer.

Resultaten visar också att olika metaller har varierande påverkan på pumptiden, vilket i sin tur kan påverka titanets ytresistans. Dessutom har gasmolekyler såsom kolväte, kväve, helium, syre och argon också en inverkan på processen.

Maintaining optimal sheet resistance in deposited thin film is critical for ensuring the quality and efficiency of MEMS (Microelectromechanical Systems) production. Therefore, the sheet resistance of evaporated titanium, a material commonly used as a getter to control pressure within MEMS devices, is a crucial parameter.

This study aims to identify the factors influencing variations in titanium sheet resistance by analysing data and conducting tests, to assess whether controlling these factors can improve machine uptime and overall production stability.

The result of the study indicates that the pump time of the chamber, along with the new identified factors such as deposition time and vent time have significant impact on the sheet resistance. However, these factors are not the root cause of the variation in sheet resistance, but they can serve as indicators.

Furthermore, different metals have varying impact on the pump time, which in turn can impact the sheet resistance. Additionally, gas molecules such as Hydrocarbons, Nitrogen, Helium, Oxygen and Argon impact also the process.