kth.sePublikationer KTH
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Aging of AlGaN quantum well light emitting diode studied by scanning near-field optical spectroscopy
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik, Optik.
KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), Fotonik och optik, Optik.ORCID-id: 0000-0002-4606-4865
Visa övriga samt affilieringar
2009 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 95, nr 18Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Emission from a 285 nm AlGaN quantum well light emitting diode has been studied by scanning near-field optical spectroscopy. The scans revealed micrometer-size domainlike areas emitting with a higher intensity and at a longer wavelength; presumably, because of a lower AlN molar fraction in these regions. Experiments performed on different days have shown that with time, intensity from these spots increases and emission wavelength shifts to the red, indicating a further change in the quantum well alloy composition. This has allowed distinguishing an aging mechanism that involves locally increased current, heating, and atom migration.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2009. Vol. 95, nr 18
Nyckelord [en]
ageing, aluminium compounds, gallium compounds, III-V semiconductors, light emitting diodes, semiconductor quantum wells, wide band gap, semiconductors, chemical-vapor-deposition, uv leds, gan, aln, nm
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kth:diva-18947DOI: 10.1063/1.3262964ISI: 000271666800033Scopus ID: 2-s2.0-71049166859OAI: oai:DiVA.org:kth-18947DiVA, id: diva2:336994
Anmärkning
QC 20100525Tillgänglig från: 2010-08-05 Skapad: 2010-08-05 Senast uppdaterad: 2022-06-25Bibliografiskt granskad
Ingår i avhandling
1. Optical properties and degradation of deep ultraviolet AIGaN-based light-emitting diodes
Öppna denna publikation i ny flik eller fönster >>Optical properties and degradation of deep ultraviolet AIGaN-based light-emitting diodes
2011 (Engelska)Doktorsavhandling, sammanläggning (Övrigt vetenskapligt)
Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Stockholm: KTH Royal Institute of Technology, 2011. s. 98
Serie
Trita-ICT/MAP AVH, ISSN 1653-7610 ; 2011:12
Nyckelord
AIGaN, deep-UV LEDs, polarization fields, screening, exciton binding energy, alloy fluctuations, near-field microscopy, carrier dynamics, LED aging
Nationell ämneskategori
Atom- och molekylfysik och optik
Identifikatorer
urn:nbn:se:kth:diva-37917 (URN)978-91-7501-065-6 (ISBN)
Disputation
2011-09-20, Sal / Hall C1, Electrum,, Isafjordsgatan 26, Kista, 13:00 (Engelska)
Opponent
Handledare
Anmärkning
QC 20110831Tillgänglig från: 2011-08-31 Skapad: 2011-08-19 Senast uppdaterad: 2022-06-24Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Person

Marcinkevicius, Saulius

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Pinos, AndreaMarcinkevicius, Saulius
Av organisationen
Optik
I samma tidskrift
Applied Physics Letters

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 171 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf