Endre søk
Begrens søket
1 - 3 of 3
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Treff pr side
  • 5
  • 10
  • 20
  • 50
  • 100
  • 250
Sortering
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
  • Standard (Relevans)
  • Forfatter A-Ø
  • Forfatter Ø-A
  • Tittel A-Ø
  • Tittel Ø-A
  • Type publikasjon A-Ø
  • Type publikasjon Ø-A
  • Eldste først
  • Nyeste først
  • Skapad (Eldste først)
  • Skapad (Nyeste først)
  • Senast uppdaterad (Eldste først)
  • Senast uppdaterad (Nyeste først)
  • Disputationsdatum (tidligste først)
  • Disputationsdatum (siste først)
Merk
Maxantalet träffar du kan exportera från sökgränssnittet är 250. Vid större uttag använd dig av utsökningar.
  • 1.
    Khartsev, Sergey
    et al.
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system, Integrerade komponenter och kretsar.
    Nordell, Nils
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Centra, Elektrumlaboratoriet, ELAB.
    Zolotarjovs, Aleksejs
    Institute of Solid State Physics ISSP, Thin Films Laboratory Kengaraga Street 8 LV-1063 Riga Latvia.
    Purans, Juris
    Institute of Solid State Physics ISSP, Thin Films Laboratory Kengaraga Street 8 LV-1063 Riga Latvia.
    Hallén, Anders
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system, Integrerade komponenter och kretsar.
    Reverse‐Bias Electroluminescence in Er‐Doped β‐Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diodes Manufactured by Pulsed Laser Deposition2021Inngår i: Physica Status Solidi (a) applications and materials science, ISSN 1862-6300, E-ISSN 1862-6319, Vol. 219, nr 4, s. 2100610-2100610Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
  • 2.
    Khartsev, Sergey
    et al.
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Nordell, Nils
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Centra, Elektrumlaboratoriet, ELAB.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system, Integrerade komponenter och kretsar.
    Purans, Juris
    Institute of Solid State Physics ISSP Kengaraga Street 8 Riga LV-1063 Latvia.
    Hallén, Anders
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system, Integrerade komponenter och kretsar.
    High‐Quality Si‐Doped β‐Ga 2 O 3 Films on Sapphire Fabricated by Pulsed Laser Deposition2020Inngår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 258, nr 2, s. 2000362-2000362Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Pulsed laser ablation is used to form high-quality silicon-doped β-Ga2O3 films on sapphire by alternatively depositing Ga2O3 and Si from two separate sources. X-ray analysis reveals a single crystallinity with a full width at half maximum for the rocking curve around the (−201) reflection peak of 1.6°. Silicon doping concentration is determined by elastic recoil detection analysis (ERDA), and the best electrical performance is reached at a Si concentration of about 1 × 1020 cm−3, using optimized deposition parameters. It is found that a high crystalline quality and a mobility of about 2.9 cm2 (V s)−1 can be achieved by depositing Si and Ga2O3 from two separate sources. Two types of Schottky contacts are fabricated: one with a pure Pt and one with a PtOx composition. Electrical results from these structures are also presented. 

  • 3.
    Su, Yingchun
    et al.
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Xue, Han
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Fu, Yujie
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Chen, Shiqian
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Li, Zheng
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Li, Lengwan
    KTH, Skolan för kemi, bioteknologi och hälsa (CBH), Fiber- och polymerteknologi, Biokompositer. KTH, Skolan för kemi, bioteknologi och hälsa (CBH), Centra, Wallenberg Wood Science Center.
    Knoks, Ainars
    Institute of Solid State Physics University of Latvia Riga LV‐1063 Latvia.
    Bogdanova, Olga
    Institute of Solid State Physics University of Latvia Riga LV‐1063 Latvia.
    Lesničenoks, Pēteris
    Institute of Solid State Physics University of Latvia Riga LV‐1063 Latvia.
    Palmbahs, Roberts
    Institute of Solid State Physics University of Latvia Riga LV‐1063 Latvia.
    Laurila, Mika‐Matti
    Faculty of Information Technology and Communication Sciences Tampere University Tampere 33720 Finland.
    Mäntysalo, Matti
    Faculty of Information Technology and Communication Sciences Tampere University Tampere 33720 Finland.
    Hammar, Mattias
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Hallén, Anders
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Nordell, Nils
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Centra, Elektrumlaboratoriet, ELAB.
    Li, Jiantong
    KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS), Elektroteknik, Elektronik och inbyggda system.
    Monolithic Fabrication of Metal‐Free On‐Paper Self‐Charging Power Systems2024Inngår i: Advanced Functional Materials, ISSN 1616-301X, E-ISSN 1616-3028Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert)
    Abstract [en]

    Self-charging power systems (SCPSs) are envisioned as promising solutions for emerging electronics to mitigate the increasing global concern about battery waste. However, present SCPSs suffer from large form factors, unscalable fabrication, and material complexity. Herein, a type of highly stable, eco-friendly conductive inks based on poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) are developed for direct ink writing of multiple components in the SCPSs, including electrodes for miniaturized spacer-free triboelectric nanogenerators (TENGs) and microsupercapacitors (MSCs), and interconnects. The principle of “one ink, multiple functions” enables to almost fully print the entire SCPSs on the same paper substrate in a monolithic manner without post-integration. The monolithic fabrication significantly improves the upscaling capability for manufacturing and reduces the form factor of the entire SCPSs (a small footprint area of ≈2 cm × 3 cm and thickness of ≈1 mm). After pressing/releasing the TENGs for ≈79000 cycles, the 3-cell series-connected MSC array can be charged to 1.6 V while the 6-cell array to 3.0 V. On-paper SCPSs are promising to serve as lightweight, thin, sustainable, and low-cost power supplies. 

1 - 3 of 3
RefereraExporteraLink til resultatlisten
Permanent link
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf